Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > IMB4AT110
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4193936Зображення IMB4AT110LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IMB4AT110
  • Виробник / марка
    LAPIS Technology
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IMB4AT110.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SMT6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    -
  • Резистор - база (R1)
    10 kOhms
  • Потужність - Макс
    300mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Інші імена
    IMB4AT110CT
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    -
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базової частини
    MB4

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IMB4AT110".
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Опис: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Опис: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Опис: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Опис: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Опис: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Опис: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Опис: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Опис: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Опис: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Опис: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Опис: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Опис: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Виробники: Crouzet
В наявності
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Опис: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.