Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS1JL R3G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4247069Зображення RS1JL R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL R3G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.43
10+
$0.392
100+
$0.22
500+
$0.118
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS1JL R3G
  • Виробник / марка
    Taiwan Semiconductor
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RS1JL R3G.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 800mA
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    Sub SMA
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    250ns
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    DO-219AB
  • Інші імена
    RS1JL R3GCT
    RS1JL R3GCT-ND
    RS1JLR3GCT
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    25 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    800mA
  • Ємність @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RS1JL R3G".
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.