Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS1JHE3/5AT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6471840Зображення RS1JHE3/5ATElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1JHE3/5AT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS1JHE3/5AT
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.RS1JHE3/5AT.pdf
    2.RS1JHE3/5AT.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AC (SMA)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    250ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
  • Номер базової частини
    RS1J

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RS1JHE3/5AT".
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Опис: DIODE, FAST, 1A, 600V

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Опис: DIODE

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JDF-13

RS1JDF-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

Опис: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Опис: DIODE

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
RS1JFA

RS1JFA

Опис: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Опис: DIODE, FAST, 1A, 600V

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.