Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > RS1JHR3G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3672274Зображення RS1JHR3GTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JHR3G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
9000+
$0.057
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RS1JHR3G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-214AC (SMA)
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Зворотний час відновлення (trr)
    250ns
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS1JL RHG

RS1JL RHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Опис: DIODE, FAST, 1A, 600V

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Опис: DIODE

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Опис: DIODE

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JFP

RS1JFP

Опис: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

Опис: DIODE, FAST, 1A, 600V

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти