Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > JAN1N5619US
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6518421

JAN1N5619US

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$11.594
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N5619US
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    JAN1N5619US.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.6V @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    600V
  • Пакет пристрою постачальника
    D-5A
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Зворотний час відновлення (trr)
    250ns
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SQ-MELF, A
  • Інші імена
    1086-19421
    1086-19421-MIL
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    500nA @ 600V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    25pF @ 12V, 1MHz

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "JAN1N5619US".
JAN1N5617

JAN1N5617

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.