Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > JAN1N5629A
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6775152

JAN1N5629A

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N5629A
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    5.8V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    10.5V
  • Напруга - розподіл (мін)
    6.45V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-13 (DO-202AA)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    1500W (1.5kW)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-13
  • Інші імена
    1086-15772
    1086-15772-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    143A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5623

JAN1N5623

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Опис: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5621

JAN1N5621

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N5620

JAN1N5620

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Опис: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5619

JAN1N5619

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Опис: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5622

JAN1N5622

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Опис: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти