Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > JAN1N5615US
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6059406Зображення JAN1N5615USMicrosemi

JAN1N5615US

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$13.39
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N5615US
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    JAN1N5615US.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    800mV @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    200V
  • Пакет пристрою постачальника
    D-5A
  • Швидкість
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Зворотний час відновлення (trr)
    150ns
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SQ-MELF, A
  • Інші імена
    1086-15221
    1086-15221-MIL
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 200°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    500µA @ 200V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    -

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "JAN1N5615US".
JAN1N5620

JAN1N5620

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Опис: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Опис: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Опис: TVS DIODE 175V 265V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Опис: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Опис: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Опис: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.