Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > JAN1N5622US
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2843552

JAN1N5622US

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
100+
$12.043
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    JAN1N5622US
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    JAN1N5622US.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.3V @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    1000V
  • Пакет пристрою постачальника
    D-5A
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Зворотний час відновлення (trr)
    2µs
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    SQ-MELF, A
  • Інші імена
    1086-2115
    1086-2115-MIL
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 200°C
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    -

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "JAN1N5622US".
JAN1N5621

JAN1N5621

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Опис: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Опис: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Опис: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Опис: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Опис: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Опис: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Опис: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.