Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT66M60B2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6964592Зображення APT66M60B2Microsemi

APT66M60B2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
30+
$20.051
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT66M60B2
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.APT66M60B2.pdf
    2.APT66M60B2.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    T-MAX™ [B2]
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 33A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1135W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Інші імена
    APT66M60B2MI
    APT66M60B2MI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    23 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT66M60B2".
APT6M100K

APT6M100K

Опис: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Опис: IGBT 600V 198A 833W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Опис: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Опис: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

Опис: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиНовиниКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.