Згідно з повідомленнями, Samsung зменшив використання товстого фоторезистів (PR) в останньому процесі літографії 3D NAND, що призвело до значної економії витрат.Однак цей крок може вплинути на його корейський постачальник Dongjin Semiconductor.
Samsung зменшив використання PR для виробництва 3D NAND вдвічі, зменшивши споживання з 7-8 см на покриття до 4-4,5 куб.Аналітики промисловості прогнозують, що дохід напівпровідника Dongjin може знизитися, підкреслюючи більш широкий вплив заходів скорочення витрат на динаміку ланцюгів поставок.
Повідомляється, що Samsung прагне підвищити ефективність процесу NAND та знижувати витрати, і успішно зменшив використання фоторезистів за допомогою двох ключових інновацій.По -перше, Samsung оптимізував оберти в хвилину (RPM) та швидкість покриття машини під час процесу застосування, зменшуючи використання PR, зберігаючи оптимальні умови травлення та значно заощаджуючи витрати, зберігаючи якість покриття.По -друге, процес травлення після застосування PR був вдосконалений, і хоча використання матеріалу було зменшено, еквівалентні або кращі результати все ще можна отримати.
Збільшення шарів укладання в 3D NAND збільшило виробничі витрати.Для підвищення ефективності Samsung прийняв KRF PR у своєму 7 -му та 8 -му поколінні NAND, що дозволяє утворити кілька шарів в одній програмі.Незважаючи на те, що KRF PR дуже підходить для процесів укладання, його висока в'язкість викликає проблеми для покриття рівномірності та підвищує складність виробництва.Виробництво PR включає складні процеси, високі стандарти чистоти, широкі дослідження та розробки та тривалий цикл валідації, встановлюючи величезні технічні бар'єри для нових учасників ринку.
