Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT66F60L
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5393784Зображення APT66F60LMicrosemi

APT66F60L

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
25+
$20.14
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT66F60L
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-264 [L]
  • Серія
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1135W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT64GA90B

APT64GA90B

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Опис: IGBT 600V 198A 833W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT68GA60B

APT68GA60B

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT60S20BG

APT60S20BG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT6M100K

APT6M100K

Опис: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Виробники: Microsemi
В наявності
APT60S20SG

APT60S20SG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
APT65GP60J

APT65GP60J

Опис: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Опис: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120J

APT70GR120J

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66F60B2

APT66F60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
APT66M60L

APT66M60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT66M60B2

APT66M60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT70GR120L

APT70GR120L

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти