Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > APT65GP60L2DQ2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3607490Зображення APT65GP60L2DQ2GMicrosemi

APT65GP60L2DQ2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
25+
$18.899
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT65GP60L2DQ2G
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 600V 198A 833W TO264
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    APT65GP60L2DQ2G.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    600V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Умова випробувань
    400V, 65A, 5 Ohm, 15V
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    30ns/90ns
  • Перемикання енергії
    605µJ (on), 895µJ (off)
  • Серія
    POWER MOS 7®
  • Потужність - Макс
    833W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-264-3, TO-264AA
  • Інші імена
    APT65GP60L2DQ2GMI
    APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    PT
  • Плата за ворота
    210nC
  • Детальний опис
    IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    250A
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    198A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT65GP60L2DQ2G".
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Опис: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Опис: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Опис: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Опис: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Опис: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Опис: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Опис: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Опис: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Опис: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Опис: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.