Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > PMIC - Ворота водіїв > IXZ631DF18N50
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6604345Зображення IXZ631DF18N50IXYS RF

IXZ631DF18N50

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$52.45
20+
$49.046
40+
$45.36
100+
$42.525
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXZ631DF18N50
  • Виробник / марка
    IXYS RF
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXZ631DF18N50.pdf
  • Напруга - Постачання
    8 V ~ 18 V
  • Пакет пристрою постачальника
    10-SMD
  • Серія
    -
  • Час підйому / падіння (тип)
    3.4ns, 1.65ns
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    10-SMD, Flat Lead
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Кількість драйверів
    1
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    14 Weeks
  • Напруга логіки - VIL, VIH
    0.8V, 3.5V
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Non-Inverting
  • Висока бічна напруга - Макс (завантажувач)
    500V
  • Тип воріт
    N-Channel MOSFET
  • Керована конфігурація
    Low-Side
  • Детальний опис
    Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD
  • Поточний - Піковий вихід (джерело, раковина)
    95A, 95A
  • Тип каналу
    Single
  • Каліфорнія Prop 65
    Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov.

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXZ631DF18N50".
IXZ318N50

IXZ318N50

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZ210N50L2

IXZ210N50L2

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL DE275

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZR18N50B-00

IXZR18N50B-00

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZ2210N50L2

IXZ2210N50L2

Опис: RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZ-2510

IXZ-2510

Опис: MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN

Виробники: InvenSense
В наявності
RFQ
IXZR18N50A-00

IXZR18N50A-00

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZR18N50

IXZR18N50

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
ISL89162FRTAZ-T

ISL89162FRTAZ-T

Опис: IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN

Виробники: Intersil
В наявності
RFQ
IXZ210N50L

IXZ210N50L

Опис: N-CHANNEL RF MOSFET 175MH

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXZR08N120B-00

IXZR08N120B-00

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZ308N120

IXZ308N120

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Виробники: IXYS
В наявності
RFQ
IXZ631DF12N100

IXZ631DF12N100

Опис: IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZH10N50L2B

IXZH10N50L2B

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZH10N50L2A

IXZH10N50L2A

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL TO-247

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZR16N60

IXZR16N60

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZ316N60

IXZ316N60

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL DE375

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXDF602SIA

IXDF602SIA

Опис: MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO

Виробники: IXYS Integrated Circuits Division
В наявності
RFQ
IXZR08N120A-00

IXZR08N120A-00

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
IXZR08N120

IXZR08N120

Опис: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Виробники: IXYS RF
В наявності
RFQ
UCC37325P

UCC37325P

Опис: IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-DIP

Виробники: Luminary Micro / Texas Instruments
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.