Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR426DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2888739Зображення SIR426DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR426DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.716
10+
$0.571
30+
$0.498
100+
$0.426
500+
$0.383
1000+
$0.36
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR426DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR426DP-T1-GE3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1160pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: VISHAY
В наявності
SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Опис:

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти