Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR408DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1465839Зображення SIR408DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR408DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR408DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR408DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR408DP-T1-GE3TR
    SIR408DPT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1230pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 44.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR408DP-T1-GE3".
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR383

SIR383

Опис: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR383C

SIR383C

Опис: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR323-5

SIR323-5

Опис: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR333-A

SIR333-A

Опис: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Виробники: Everlight Electronics
В наявності
RFQ
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.