Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIR438DP-T1-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2320329Зображення SIR438DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR438DP-T1-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.978
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIR438DP-T1-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIR438DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Інші імена
    SIR438DP-T1-GE3-ND
    SIR438DP-T1-GE3TR
    SIR438DPT1GE3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    27 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4560pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIR438DP-T1-GE3".
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.