Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN60H3D5SK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4961239Зображення DMN60H3D5SK3-13Diodes Incorporated

DMN60H3D5SK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.279
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN60H3D5SK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMN60H3D5SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252, (D-Pak)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    41W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    22 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN60H3D5SK3-13".
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.