Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN6069SFG-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1411542Зображення DMN6069SFG-7Diodes Incorporated

DMN6069SFG-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2000+
$0.25
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN6069SFG-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN6069SFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    PowerDI3333-8
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    930mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerWDFN
  • Інші імена
    DMN6069SFG-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1480pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 5.6A (Ta), 18A (Tc) 930mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    5.6A (Ta), 18A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN6069SFG-7".
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Опис: MOSFETN-CH 60VSOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6040SVTQ-13

DMN6040SVTQ-13

Опис: MOSFET NCH 60V 5A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 6A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Опис: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7

Опис: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.