Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN61D8LQ-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5361034Зображення DMN61D8LQ-13Diodes Incorporated

DMN61D8LQ-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10000+
$0.155
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN61D8LQ-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V SOT23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN61D8LQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    390mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN61D8LQ-13-ND
    DMN61D8LQ-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    3V, 5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    470mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN61D8LQ-13".
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D9U-7

DMN61D9U-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LVTQ-13

DMN61D8LVTQ-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D9UW-13

DMN61D9UW-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LVT-7

DMN61D8LVT-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D9UDW-7

DMN61D9UDW-7

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.