Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN60H080DS-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4203774Зображення DMN60H080DS-7Diodes Incorporated

DMN60H080DS-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.101
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN60H080DS-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN60H080DS-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    100 Ohm @ 60mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.1W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMN60H080DS-7-ND
    DMN60H080DS-7DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    80mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN60H080DS-7".
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Опис: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Опис: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Опис: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.