Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > DMN2013UFX-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2810850

DMN2013UFX-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.321
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2013UFX-7
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    W-DFN5020-6
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    2.14W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-VFDFN Exposed Pad
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    20 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2607pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    57.4nC @ 8V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Опис: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти