Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2011UTS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5814596

DMN2011UTS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.211
10+
$0.207
30+
$0.204
100+
$0.201
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2011UTS-13
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-TSSOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.3W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Інші імена
    DMN2011UTS-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    28 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2248pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Опис: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Опис:

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Опис: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти