Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2013UFDE-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3405213Зображення DMN2013UFDE-7Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.222
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2013UFDE-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2013UFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    660mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Інші імена
    DMN2013UFDE-7DITR
    DMN2013UFDE7
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2453pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    25.8nC @ 8V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2013UFDE-7".
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Опис: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Опис: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.