Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVGS4111PT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
639054

NVGS4111PT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.283
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVGS4111PT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVGS4111PT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    630mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    30 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    750pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVGS4111PT1G".
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

Опис: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Опис: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
EPC2203

EPC2203

Опис: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Виробники: EPC
В наявності
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
STP160N75F3

STP160N75F3

Опис: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD2N105K5

STD2N105K5

Опис: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2

Опис: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

Опис: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Опис: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
STD46N6F7

STD46N6F7

Опис: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
PMN52XPX

PMN52XPX

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.