Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SI1058X-T1-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3911336Зображення SI1058X-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1058X-T1-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SI1058X-T1-E3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SI1058X-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.55V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-89-6
  • Серія
    TrenchFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    236mW (Ta)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    SI1058X-T1-E3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    380pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    5.9nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    -

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SI1058X-T1-E3".
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V SC-89

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1062-A-GM

SI1062-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1063-A-GM

SI1063-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

Опис: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Виробники: Energy Micro (Silicon Labs)
В наявності
RFQ
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V SC89

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.