Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVGS3130NT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2850108

NVGS3130NT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.496
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVGS3130NT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVGS3130NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    600mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    30 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    935pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVGS3130NT1G".
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
NTMFS4962NFT3G

NTMFS4962NFT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Опис: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NTD65N03R

NTD65N03R

Опис: MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Опис: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Опис: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Опис: MOSFET N-CH 60V SOT323

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

Опис: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFIZ14G

IRFIZ14G

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
GKI07301

GKI07301

Опис: MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

Виробники: Sanken Electric Co., Ltd.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.