Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVGS5120PT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5391282

NVGS5120PT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVGS5120PT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVGS5120PT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    111 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    600mW (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Інші імена
    NVGS5120PT1GOSCT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    35 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    942pF @ 30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    18.1nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVGS5120PT1G".
CSD23203W

CSD23203W

Опис: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Виробники: Luminary Micro / Texas Instruments
В наявності
RFQ
STS7N3LLH6

STS7N3LLH6

Опис: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
TN0110N3-G

TN0110N3-G

Опис: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RFQ
IRFR7540TRLPBF

IRFR7540TRLPBF

Опис: MOSFET N-CH 60V 90A

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRFHM8228TRPBF

IRFHM8228TRPBF

Опис: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF820ALPBF

IRF820ALPBF

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQB34P10TM

FQB34P10TM

Опис: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RFP2N10L

RFP2N10L

Опис: MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SPP15P10P

SPP15P10P

Опис: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXFI7N80P

IXFI7N80P

Опис: MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IXTH6N120

IXTH6N120

Опис: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
STF10LN80K5

STF10LN80K5

Опис: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
BMS3003-1E

BMS3003-1E

Опис: MOSFET P-CH 60V 78A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRLU7833-701PBF

IRLU7833-701PBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 140A IPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
PSMN5R0-30YL,115

PSMN5R0-30YL,115

Опис: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.