Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB150N10
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
767439Зображення FDB150N10AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB150N10

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$3.41
10+
$3.049
100+
$2.50
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB150N10
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB150N10.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 49A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    110W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB150N10CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4760pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    57A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB150N10".
FDB2552

FDB2552

Опис: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Опис: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Опис: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Опис: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2532

FDB2532

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Опис: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.