Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB12N50TM
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6551405Зображення FDB12N50TMAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB12N50TM

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$1.392
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB12N50TM
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB12N50TM.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK
  • Серія
    UniFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    165W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB12N50TMTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    9 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1315pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB12N50TM".
FDB120N10

FDB120N10

Опис: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB075N15A_SN00284

FDB075N15A_SN00284

Опис: MOSFET N-CH 150V

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB088N08_F141

FDB088N08_F141

Опис: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Опис: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB075N15A-F085

FDB075N15A-F085

Опис: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB088N08

FDB088N08

Опис: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB082N15A

FDB082N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB075N15A

FDB075N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.