Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB14AN06LA0-F085
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
789034Зображення FDB14AN06LA0-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB14AN06LA0-F085

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.18
10+
$1.968
100+
$1.582
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB14AN06LA0-F085
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB14AN06LA0-F085.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263AB
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11.6 mOhm @ 67A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    125W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB14AN06LA0-F085CT
    FDB14AN06LA0_F085CT
    FDB14AN06LA0_F085CT-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    33 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2900pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    31nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB14AN06LA0-F085".
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2532

FDB2532

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB088N08

FDB088N08

Опис: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Опис: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB088N08_F141

FDB088N08_F141

Опис: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Опис: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Опис: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Опис: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.