Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB2532-F085
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4143510Зображення FDB2532-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB2532-F085

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$2.306
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB2532-F085
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB2532-F085.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263AB
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 33A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    310W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB2532-F085TR
    FDB2532_F085
    FDB2532_F085-ND
    FDB2532_F085TR
    FDB2532_F085TR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    5870pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    150V
  • Детальний опис
    N-Channel 150V 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    79A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB2532-F085".
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2572

FDB2572

Опис: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2670

FDB2670

Опис: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2614

FDB2614

Опис: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Опис: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Опис: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Опис: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2552

FDB2552

Опис: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3502

FDB3502

Опис: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2532

FDB2532

Опис: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2710

FDB2710

Опис: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Опис: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2570

FDB2570

Опис: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.