Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHS90N65E-E3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5769300Зображення SIHS90N65E-E3Vishay Siliconix

SIHS90N65E-E3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$21.24
10+
$19.591
25+
$18.711
100+
$16.73
250+
$15.959
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHS90N65E-E3
  • Виробник / марка
    Vishay / Siliconix
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHS90N65E-E3.pdf
  • Напруга - випробування
    11826pF @ 100V
  • Напруга - розбивка
    SUPER-247 (TO-274AA)
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    29 mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs (Макс)
    10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Digi-Reel®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    87A (Tc)
  • Поляризація
    TO-247-3
  • Інші імена
    SIHS90N65E-E3DKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    14 Weeks
  • Номер деталі виробника
    SIHS90N65E-E3
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    591nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±30V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Особливість FET
    N-Channel
  • Розгорнутий опис
    N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    -
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Коефіцієнт ємності
    625W (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHS90N65E-E3".
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.