Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHP6N65E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5645406Зображення SIHP6N65E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHP6N65E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$1.167
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHP6N65E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
    SIHP6N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    78W (Tc)
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    820pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHP6N65E-GE3".
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Опис: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.