Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SIHU2N80E-GE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
823865Зображення SIHU2N80E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU2N80E-GE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.83
10+
$1.622
100+
$1.282
500+
$0.994
1000+
$0.785
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SIHU2N80E-GE3
  • Виробник / марка
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SIHU2N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    IPAK (TO-251)
  • Серія
    E
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.75 Ohm @ 1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    62.5W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    315pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SIHU2N80E-GE3".
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Опис: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Vishay Siliconix
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Опис: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Опис: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.