Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN2709JE(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6876223Зображення RN2709JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2709JE(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
4000+
$0.088
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2709JE(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2709JE(TE85L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Пакет пристрою постачальника
    ESV
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    22 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    47 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-553
  • Інші імена
    RN2709JE(TE85LF)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    200MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2709JE(TE85L,F)".
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2902,LF

RN2902,LF

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.