Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN2701JE(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2363929Зображення RN2701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2701JE(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN2701JE(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN2701JE(TE85L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Пакет пристрою постачальника
    ESV
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-553
  • Інші імена
    RN2701JE(TE85LF)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    200MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN2701JE(TE85L,F)".
RN262GT2R

RN262GT2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Опис: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.