Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN1961FE(TE85L,F)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3939946Зображення RN1961FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1961FE(TE85L,F)
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1961FE(TE85L,F).pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    ES6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    RN1961FE(TE85LF)TR
    RN1961FETE85LF
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip оголошує 500 звільнень, з ви...

2024/12/4

Quanta: Попит AI продовжує бути силь...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значно зменшує використанн...

2024/12/2

Vishay вкладе 51 мільйон фунтів стер...

2024/11/29

Тарифна загроза Трампа, Nvidia, пос...

2024/11/28

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1961FE(TE85L,F)".
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.