Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN1910,LF(CT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
532405Зображення RN1910,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.30
10+
$0.27
25+
$0.195
100+
$0.151
250+
$0.095
500+
$0.081
1000+
$0.055
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1910,LF(CT
  • Виробник / марка
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    RN1910,LF(CT.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    US6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    -
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Інші імена
    RN1910(T5LFT)DKR
    RN1910(T5LFT)DKR-ND
    RN1910LF(CTDKR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "RN1910,LF(CT".
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1907,LF

RN1907,LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.