Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > RN1906FE(T5L,F,T)
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4549604Зображення RN1906FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    RN1906FE(T5L,F,T)
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    ES6
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    4.7 kOhms
  • Потужність - Макс
    100mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Інші імена
    RN1906FE(T5LFT)TR
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    250MHz
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1907,LF

RN1907,LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1904FE,LF(CT

RN1904FE,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1905,LF

RN1905,LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1903,LF(CT

RN1903,LF(CT

Опис:

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1906,LF

RN1906,LF

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Опис: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти