Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE33AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2436356

MAP6KE33AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE33AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MAP6KE33AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    28.2V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    45.7V
  • Напруга - розподіл (мін)
    31.4V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4558
    1086-4558-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    13.2A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MAP6KE33AE3".
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27A

MAP6KE27A

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE39CA

MAP6KE39CA

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27AE3

MAP6KE27AE3

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE36A

MAP6KE36A

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.