Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE36CAE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1653073

MAP6KE36CAE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE36CAE3
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    30.8V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    49.9V
  • Напруга - розподіл (мін)
    34.2V
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4564
    1086-4564-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    12A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Двонаправлені канали
    1
  • Програми
    General Purpose
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43A

MAP6KE43A

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Опис: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Опис: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE39CA

MAP6KE39CA

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Опис: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
MAP6KE36A

MAP6KE36A

Опис: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти