Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Захист захисту > ТВС - діоди > MAP6KE27AE3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6555984

MAP6KE27AE3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MAP6KE27AE3
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MAP6KE27AE3.pdf
  • Напруга - зворотне відведення (тип)
    23.1V
  • Напруга - затиск (макс.) @ Ipp
    37.5V
  • Напруга - розподіл (мін)
    25.7V
  • Однонаправлені канали
    1
  • Тип
    Zener
  • Пакет пристрою постачальника
    T-18
  • Серія
    Military, MIL-PRF-19500
  • Захист силової лінії
    No
  • Потужність - пік імпульсу
    600W
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    T-18, Axial
  • Інші імена
    1086-4550
    1086-4550-MIL
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)
    16A
  • Потужність @ Частота
    -
  • Програми
    General Purpose

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MAP6KE27AE3".
MAP6KE22CA

MAP6KE22CA

Опис: TVS DIODE 18.8V 30.6V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE20CAE3

MAP6KE20CAE3

Опис: TVS DIODE 17.1V 27.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27A

MAP6KE27A

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE24A

MAP6KE24A

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE24CA

MAP6KE24CA

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Опис: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Опис: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE24AE3

MAP6KE24AE3

Опис: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Опис: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE22AE3

MAP6KE22AE3

Опис: TVS DIODE 18.8V 30.6V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE22CAE3

MAP6KE22CAE3

Опис: TVS DIODE 18.8V 30.6V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
MAP6KE22A

MAP6KE22A

Опис: TVS DIODE 18.8V 30.6V T-18

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.