Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT35SM70B
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1396048

APT35SM70B

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT35SM70B
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    +25V, -10V
  • Технологія
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 10A, 20V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    176W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1035pF @ 700V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    67nC @ 20V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    20V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    700V
  • Детальний опис
    N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
APT38F50J

APT38F50J

Опис: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Опис: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Опис: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37M100L

APT37M100L

Опис: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37F50S

APT37F50S

Опис: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GA90B

APT35GA90B

Опис: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37M100B2

APT37M100B2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36GA60B

APT36GA60B

Опис: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT37F50B

APT37F50B

Опис: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT38F80B2

APT38F80B2

Опис: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Опис: IGBT 900V 63A 290W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35SM70S

APT35SM70S

Опис: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120J

APT35GP120J

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Опис: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Опис: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти