Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > APT35GA90BD15
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
660649Зображення APT35GA90BD15Microsemi

APT35GA90BD15

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$8.17
10+
$7.35
30+
$6.696
120+
$6.043
270+
$5.553
510+
$5.063
1020+
$4.41
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT35GA90BD15
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 900V 63A 290W TO247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    900V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 18A
  • Умова випробувань
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • Перемикання енергії
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247 [B]
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    290W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Інші імена
    APT35GA90BD15MI
    APT35GA90BD15MI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    28 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    PT
  • Плата за ворота
    84nC
  • Детальний опис
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    105A
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    63A
APT34M120J

APT34M120J

Опис: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34F100B2

APT34F100B2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35SM70B

APT35SM70B

Опис: MOSFET N-CH 700V TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Опис: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Опис: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Опис: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35SM70S

APT35SM70S

Опис: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120J

APT35GP120J

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34M60B

APT34M60B

Опис: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GA90B

APT35GA90B

Опис: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34F60BG

APT34F60BG

Опис: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34F60B

APT34F60B

Опис: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Опис: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Опис: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Опис: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Опис: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Опис: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT34F100L

APT34F100L

Опис: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти