Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT26F120B2
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5141427Зображення APT26F120B2Microsemi

APT26F120B2

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
30+
$26.282
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT26F120B2
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.APT26F120B2.pdf
    2.APT26F120B2.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    T-MAX™
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 14A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1135W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Інші імена
    APT26F120B2MI
    APT26F120B2MI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    21 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    1200V
  • Детальний опис
    N-Channel 1200V 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT26F120B2".
APT28F60B

APT28F60B

Опис: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Опис: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Опис: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Опис: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Опис: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Опис: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Опис: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Опис: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Опис: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Опис: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Опис: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Опис: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Опис: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Опис: IGBT 900V 48A 223W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.