Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT25M100J
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3317765Зображення APT25M100JMicrosemi

APT25M100J

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$32.74
10+
$30.286
30+
$27.831
100+
$25.866
250+
$23.738
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT25M100J
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    ISOTOP®
  • Серія
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    545W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    1000V
  • Детальний опис
    N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Опис: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT26F120L

APT26F120L

Опис: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Опис: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25SM120B

APT25SM120B

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Опис: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Опис: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Опис: IGBT 900V 72A 417W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Опис: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GR120B

APT25GR120B

Опис: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Опис: IGBT 900V 48A 223W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25SM120S

APT25SM120S

Опис: POWER MOSFET - SIC

Виробники: Microsemi
В наявності
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Опис: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Опис: IGBT 900V 72A 417W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Опис: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
APT26F120B2

APT26F120B2

Опис: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GR120S

APT25GR120S

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Опис: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
APT28F60B

APT28F60B

Опис: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Опис: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти