Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > APT100M50J
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2141490Зображення APT100M50JMicrosemi

APT100M50J

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
20+
$42.757
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT100M50J
  • Виробник / марка
    Microsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.APT100M50J.pdf
    2.APT100M50J.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-227
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 75A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    960W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Інші імена
    APT100M50JMI
    APT100M50JMI-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    17 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    24600pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    620nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    500V
  • Детальний опис
    N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    103A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "APT100M50J".
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Опис: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Опис: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Опис: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Опис: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Опис: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Опис: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Опис: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Опис: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Опис: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Опис: IGBT 600V 183A 780W TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Опис: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Опис: IGBT 600V 229A 625W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Опис: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Опис: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.