Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - Модулі > APT100GN120JDQ4
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6674866Зображення APT100GN120JDQ4Microsemi

APT100GN120JDQ4

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
10+
$46.413
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    APT100GN120JDQ4
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 1200V 153A 446W SOT227
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Пакет пристрою постачальника
    ISOTOP®
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    446W
  • Пакет / Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC термістор
    No
  • Тип монтажу
    Chassis Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Cies) @ Vce
    6.5nF @ 25V
  • Вхідний
    Standard
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Детальний опис
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP®
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    200µA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    153A
  • Конфігурація
    Single
APT100F50J

APT100F50J

Опис: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Опис: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Опис: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Опис: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Опис: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Опис: POWER MODULE - IGBT

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Опис: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Опис: IGBT 600V 229A 625W TO264

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Опис: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Опис: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Опис: MOD DIODE 600V SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Опис: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Опис: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Опис: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Опис: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GN120J

APT100GN120J

Опис: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Опис: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Виробники: Microsemi
В наявності
APT100M50J

APT100M50J

Опис: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Виробники: Microsemi
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти