1N5556

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності

$22.18

10+

$20.16

25+

$18.648

100+

$17.136

250+

$15.624

Запит онлайн

Технічні характеристики

Номер частини

1N5556
Виробник / марка

Microsemi
Кількість запасів

В наявності
Опис

TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Містить свинець / RoHS невідповідний
Технічні таблиці

1N5556.pdf
Напруга - зворотне відведення (тип)

40.3V
Напруга - затиск (макс.) @ Ipp

63.5V
Напруга - розподіл (мін)

43.7V
Однонаправлені канали

1
Тип

Zener
Пакет пристрою постачальника

DO-13
Серія

-
Захист силової лінії

No
Потужність - пік імпульсу

1500W (1.5kW)
Упаковка

Bulk
Пакет / Корпус

DO-13
Робоча температура

-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу

Through Hole
Рівень чутливості вологи (MSL)

1 (Unlimited)
Статус безкоштовного статусу / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Поточний - піковий імпульс (10 / 1000μs)

24A
Потужність @ Частота

-
Програми

General Purpose

Далі - продукти, пов'язані з "1N5556".

1N5553US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5557

Опис: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5554US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5614

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5610

Опис: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5554US

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5554

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5554

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5614GPHE3/54

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay

В наявності

RFQ

1N5553

Опис: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5614GP-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay

В наявності

RFQ

1N5614US

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5553US

Опис: DIODE GEN PURP 800V 5A

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5554C.TR

Опис: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5553C.TR

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Виробники: Semtech

В наявності

RFQ

1N5614GP-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division

В наявності

RFQ

1N5558

Опис: TVS DIODE 175V 265V DO13

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5555

Опис: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5613

Опис: TVS DIODE C-BODY

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

1N5611

Опис: TVS DIODE

Виробники: Microsemi

В наявності

RFQ

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Попередня реєстрація

1N5556

Запит запиту

Довідкова ціна (у доларах США)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

Остання оптична платформа Tower Semi...

Промисловість повільно відновл...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Постачальник: Велика кількість ...

Тайвань, вихідна вартість напів...

Розширення виробництва OLED -пане...

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Південна Корея планує прийняти ...

1N5553US

1N5557

1N5554US

1N5614

1N5610

1N5554US

1N5554

1N5554

1N5614GPHE3/54

1N5553

1N5614GP-E3/73

1N5614US

1N5553US

1N5554C.TR

1N5553C.TR

1N5614GP-E3/54

1N5558

1N5555

1N5613

1N5611

Оберіть мову

Поточна мова