Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > IXTM50N20
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
215745

IXTM50N20

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    IXTM50N20
  • Виробник / марка
    IXYS / Littelfuse
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    POWER MOSFET TO-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    IXTM50N20.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-204AE
  • Серія
    GigaMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 25A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300W (Tc)
  • Пакет / Корпус
    TO-204AE
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4600pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "IXTM50N20".
IXTM67N10

IXTM67N10

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM9226

IXTM9226

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM1712

IXTM1712

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM5N100

IXTM5N100

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM1316

IXTM1316

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM21N50L

IXTM21N50L

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM1630

IXTM1630

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Опис: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM40N30

IXTM40N30

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM12N100

IXTM12N100

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM24N50L

IXTM24N50L

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM11P50

IXTM11P50

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTN120N25

IXTN120N25

Опис: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM15N60

IXTM15N60

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM5N100A

IXTM5N100A

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM35N30

IXTM35N30

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTM6N90A

IXTM6N90A

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTN170P10P

IXTN170P10P

Опис: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Опис: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.